home
RAM, SGRAM,SDRAM



SGRAM (ang. Synchronous Graphics RAM - synchroniczna pamięć RAM - rodzaj pamięci RAM stosowany głównie w starszych kartach graficznych. Umożliwia szybką zmianę zawartości pamięci - jest to ważne, ponieważ karty graficzne muszą niekiedy wyświetlać wiele klatek obrazu na sekundę, a każda z nich wymaga całkowitej zmiany danych znajdujących się w pamięci karty graficznej. Pamięć ta może jednocześnie zapisywać oraz odczytywać dane. Kość pamięci Sgram Źródło: "http://pl.wikipedia.org/wiki/SGRAM" SDR SDRAM (ang. Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) - to pamięć dynamiczna, (dawniej nazywana po prostu SDRAM, po wprowadzeniu techologii DDR SDRAM został dodany przedrostek SDR) synchroniczna, zbudowana na kondensatorach i tranzystorach. Synchroniczna, ponieważ działa ona zgodnie z przebiegiem taktu zegara procesora (współpraca z magistralą systemową). Pamięć SDR SDRAM jest taktowana częstotliwościami 66, 100 i 133 MHz. Produkowane były kości 32, 64, 128, 256 i 512 MB. Produkcja została zaprzestana z powodu pojawienia się DDR - szybszych i wydajniejszych pamięci. DDR SDRAM (ang. Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory) – rodzaj pamięci typu RAM stosowana w komputerach jako pamięć operacyjna oraz jako pamięć kart graficznych. Działanie [edytuj] Produkcję pamięci DDR SDRAM rozpoczęto w 1999 roku. Jest ona modyfikacją dotychczas stosowanej pamięci SDRAM (ang. Synchronous Dynamic RAM). W pamięci typu DDR SDRAM dane przesyłane są w czasie trwania zarówno rosnącego jak i opadającego zbocza zegara, przez co uzyskana została dwa razy większa przepustowość niż w przypadku konwencjonalnej SDRAM typu PC-100 i PC-133. Kości zasilane są napięciem 2,5 V a nie 3,3 V co, wraz ze zmniejszeniem pojemności wewnątrz układów pamięci, powoduje znaczące ograniczenie poboru mocy. Oznaczenia [edytuj] Stosowane są dwa rodzaje oznaczeń pamięci DDR SDRAM. Mniejszy (np. PC-200) mówi o częstotliwości, z jaką działają kości. Natomiast większy (np. PC1600) mówi o teoretycznej przepustowości jaką mogą osiągnąć. Szerokość magistrali pamięci wynosi 64 bity. Przepustowość obliczana jest metodą: PC-200 (PC-1600) – (64 bity * 2 * 100 MHz)/8 = 1,6 GB/s PC-266 (PC-2100) – (64 bity * 2 * 133 MHz)/8 = 2,1 GB/s PC-333 (PC-2700) – (64 bity * 2 * 166 MHz)/8 = 2,7 GB/s PC-400 (PC-3200) – (64 bity * 2 * 200 MHz)/8 = 3,2 GB/s DDR2 SDRAM (ang. Double Data Rate 2 Synchronous Dynamic Random Access Memory) – kolejny po DDR standard pamięci RAM typu SDRAM, stosowany w komputerach jako pamięć operacyjna. Informacje ogólne [edytuj] Pamięć DDR2 charakteryzuje się wyższą efektywną częstotliwością taktowania (533, 667, 800, 1066 MHz) oraz niższym poborem prądu. Podobnie jak DDR, pamięć DDR2 wykorzystuje do przesyłania danych wznoszące i opadające zbocze sygnału zegarowego. Pamięci DDR2 budowane są w obudowach FBGA (ang. Fine-pitch Ball Grid Array). Mogą pracować w temperaturze do 70°C. Moduły pamięci DDR2 nie są kompatybilne z modułami DDR. Obecnie DDR2 obsługiwane są zarówno przez procesory firmy Intel jak i AMD. Istnieją dwa sposoby oznaczania modułów pamięci DDR2. Pierwszy z nich (np. PC2-533) mówi o prędkości modułu. Natomiast drugi (np. PC2-6400) informuje o przepustowości. Przepustowość obliczana jest w ten sam sposób jak dla pamięci DDR: PC2-3200 to: (64 bity * 2 * 200 MHz)/8 = 3,2 GB/s PC2-4200 to: (64 bity * 2 * 266 MHz)/8 = 4,2 GB/s PC2-5200 to: (64 bity * 2 * 333 MHz)/8 = 5,2 GB/s PC2-6400 to: (64 bity * 2 * 400 MHz)/8 = 6,4 GB/s PC2-8500 to: (64 bity * 2 * 533 MHz)/8 = 8,5 GB/s Różnice w stosunku do DDR [edytuj] 1.Moduły zasilane są napięciem 1,8 V, zamiast 2,5 V. 2.Układy terminujące zostały przeniesione z płyty głównej do wnętrza pamięci (ang. ODT, On Die Termination). Zapobiega to powstaniu błędów wskutek transmisji odbitych sygnałów. 3.DDR2 przesyła 4 bity w ciągu jednego taktu zegara (DDR tylko 2). 4.Podwojona prędkość układu wejścia/wyjścia (I/O) pozwala na obniżenie prędkości całego modułu bez zmniejszania jego przepustowości. 5.Liczba styków została zwiększona ze 184 do 240. 6.Wycięcia w płytce pamięci umieszczone są w różnych miejscach, w celu zapobiegnięcia podłączenia niewłaściwych kości. Kompatybilność wsteczna [edytuj] Pamięci DDR2 nie są kompatybilne z ich poprzednikami. Wynika to z ilości styków, gęstości ich rozstawienia, napięcia pracy oraz pewnych zmian konstrukcyjnych. DDR3 SDRAM (ang. Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory (ver. 3)) – nowy standard pamięci RAM typu SDRAM, będący rozwinięciem pamięci DDR i DDR2, stosowanych w komputerach jako pamięć operacyjna. Pamięć DDR3 wykonana jest w technologii 90 nm, która umożliwia zastosowanie niższego napięcia (1,5 V w porównaniu z 1,8 V dla DDR2 i 2,5 V dla DDR). Dzięki temu pamięć DDR3 charakteryzuje się zmniejszonym poborem mocy o około 40 % w stosunku do pamięci DDR2 oraz większą przepustowością w porównaniu do DDR2 i DDR. Pamięci DDR3 nie będą kompatybilne wstecz, tzn. nie będą współpracowały z chipsetami obsługującymi DDR i DDR2. Posiadają także przesunięte wcięcie w prawą stronę w stosunku do DDR2 (w DDR2 wcięcie znajduje się prawie na środku kości). Obsługa pamięci DDR3 przez procesory została wprowadzona w 2007 roku w procesorach firmy Intel oraz zostanie wprowadzona w 2008 roku w procesorach firmy AMD. CAS - skrót od Column Address Strobe albo czasami Column Address Select, które to oba adresy odnoszą się do fizycznego miejsca ulokowania pamięci w tablicy kondensatorów użytych w dynamicznej pamięci o bezpośrednim dostępie do modułów (DRAM). CAS latency (CL) oznacza czas (w numerze cykli określonych impulsów) jaki upływa od wysłania przez kontroler pamięci żądania odczytu miejsca pamięci (memory location) a przesłaniem odczytanych danych dalej (output pins). Im niższe CAS latency pamięci, tym szybciej powinna ona działać.